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3N50L-TF3-T TO-220F N沟道 650V 4A mos场效应管丝印微碧半导体
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制造商深圳市微碧半导体有限公司
分类场效应管(MOSFET)
价格1.82
品牌VBsemi/微碧半导体
型号3N50L-TF3-T
封装TO-220F
批号23+
FET类型增强型
漏源电压(Vdss)650V
漏极电流(Id)4A
漏源导通电阻(RDS On)2560mΩ@10V
栅源电压(Vgs)±20V
栅极电荷(Qg)48nC
反向恢复时间/
最大耗散功率30000
配置类型Single
工作温度范围-55℃~+150℃
安装类型表面贴装技术
应用领域新能源,家用电器,3C数码,测量仪器,智能家居,网络通信,安防设备,广电教育,医疗电子,照明电子,可穿戴设备,物联网IoT

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